Комплексные решения в области фотоники и оптоэлектроники
+7 (812) 565-60-60
Работаем по России и странам
Таможенного Союза
Таможенного Союза
Пн - Пт 9:00 - 18:00 (Мск)
Новости
Выставка Фотоника 2023: мир лазеров и оптики
06.03.2023
Система тестирования источников излучения
31.03.2022
InGaAs фотодиоды с большой активной областью
- Длины волн 0,6–2,2 мкм
- Тип к орпyса Chip/CLCC/TO-Can
- Диаметр фотоэлемента 0.5-5 мм
1 ₽
Количество
шт
Компания Интех Лайтинг предлагает серию высококачественных PIN-фотодиодов на основе объемных материалов InP/InGaAs с большой площадью фоточувствительного элемента диаметром 0,5, 1, 2, 3 и 5 мм. Коротковолновая расширенная серия фотодиодов (600 1700 нм, -17 В) может охватывать диапазон длин волн, свойственных фотодиодам на основе Si, а также стандартных детекторов InGaAs. Также доступны фотодиоды c расширенным длинноволновым краем поглощения до 2,2 мкм.
В ответ на растущий спрос на датчики низкой освещенности (например, LIDAR) компания предлагает фотодиоды InGaAs с термоэлектрическим охлаждением на основе компактного корпуса TO-46. При минимальном потреблении энергии на охлаждение (&"lt"0,3 Вт) для работы при низких температурах или при контролируемой температуре эти фотодиоды демонстрируют лучшую чувствительность и стабильность, чем обычные неохлаждаемые фотодиоды.
Все предлагаемые виды фотодиодов доступны в виде немонтированных чипов, чипов на керамическом носителе (CLCC) или в металлических TO-корпусах с охлаждением и без.