Комплексные решения в области фотоники и оптоэлектроники
+7 (812) 565-60-60
Работаем по России и странам
Таможенного Союза
Таможенного Союза
Пн - Пт 9:00 - 18:00 (Мск)
Новости
Выставка Фотоника 2023: мир лазеров и оптики
06.03.2023
Система тестирования источников излучения
31.03.2022
Si лавинные фотодиоды
- Диапазон 400 - 1100 нм
- Активная область 230, 500 мкм
- Напряжение пробоя 100 - 220 В
- Время нарастания < 1.5 нс
- Темновой ток < 1 нА
1 ₽
Количество
шт
- Диапазон 400 - 1100 нм
- Активная область 230, 500 мкм
- Напряжение пробоя 100 - 220 В
- Время нарастания < 1.5 нс
- Темновой ток < 1 нА
Технические характеристики
| Параметр | Условия измерения | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Ед. измерения |
| Тип корпуса | Немонтированные чипы, LCC или TO | ||||
| Спектральный диапазон | 400-1100 | нм | |||
| Диаметр активной области | 230/500 | мкм | |||
| Фоточувствительность | λ=905 нм, M=100 | 50 | 55 | А/Вт | |
| Время нарастания | f=1МГц,R=50Ом, λ=905 нм | 0,5 | 1.5 | нс | |
| Темновой ток | M=100 | 0.2 | 0.4 | 1 | нА |
| Емкость | M=100, f=1МГц | 1 | пФ | ||
| Коэффициент усиления | 100 | ||||
| Напряжение пробоя | IR=10 мкА | 100 | 220 | В | |
| Коэффициент температурного дрейфа | Tc=-40℃～85℃ | 0.7 | В/℃ | ||
Компактный быстродействующий InGaAs-фотодиод
1 ₽
- Производитель
- NEON
- Длины волн 1000-1650 нм
- Полоса пропускания до 20 ГГц
- Оптическая мощность до +10 дБм
- Темновой ток ≤ 10 нА
- Амплитудная неравномерность ≤ ± 2 дБ
шт
Быстродействующий гибридный InGaAs фотодиод HHPD
1 ₽
- Производитель
- NEON
- Длины волн 1000-1650 нм
- Полоса пропускания 12 или 18 ГГц
- Оптическая мощность до +13 дБм
- Амплитудная неравномерность ≤ ±1,5 дБ
- Одномодовое волокно 9/125 мкм
шт
Быстродействующий InGaAs-фотодиод с усилителем FCAMPD
1 ₽
- Производитель
- NEON
- Длины волн 1000-1650 нм
- Полоса пропускания до 5 ГГц
- Оптическая мощность до 5 дБм
- Коэффициент усиления до 30 дБ
- Темновой ток ≤ 10 нА
шт