Малошумящие PIN-фотоприемники серии KY-PRM объединяют высоколинейный аналоговый PIN-детектор (GaN, Si или InGaAs) и малошумящий широкополосный трансимпедансный усилитель с высоким коэффициентом усиления, высокой чувствительностью, сопряжению по переменному току и равномерным усилением. Модуль питается от положительного напряжения 12 В, а входной оптический интерфейс доступен как для оптического волокна, так и для пространственных источников излучения. Волоконный интерфейс универсален для одномодового и многомодового оптического волокна. Электрический сигнал передается через аналоговый выход SMA. Фотодетекторы в основном используются для анализа амплитудно-фазовых характеристик пико и нано секундных оптических импульсов, лазерной связи, лазерных радарах, оптоволоконной системе зондирования и других приложениях. Также фотоприемные модули доступны в мультиканальном исполнении.
Технические характеристики
Параметры производительности
| PN |
KY-PRM-200M-I1 |
KY-PRM-100M-I1 |
KY-PRM-BW-I-FS |
| Тип детектора |
InGaAs / PIN |
InGaAs / PIN |
| Оптический вход |
Free Space или FC/APC |
Free Space |
| Спектральный диапазон |
400 ~ 1700 нм |
800 ~ 1700 нм |
| Пиковая фоточувствительность |
0.9 А/Вт@1550 нм |
0.9А/Вт@1550 нм |
| Диаметр активной области фотоэлемента |
100 мкм |
1мм |
200 мкм |
500 мкм |
| Ширина полосы пропускания (3 дБ) |
200 МГц |
75 МГц |
200 МГц |
150 МГц |
| Усиление* |
1x104 В/Вт @1550 нмm
2,5x10 3 В / Вт при 650 нм |
2x104 В/Вт @1550 нм
7x103 В/Вт @650 нм |
20кВ/Вт
@ 1550 нм |
20кВ/Вт @1550 нм |
| Время нарастания |
2,4 нс |
4,7 нс |
2,4 нс |
3,5 нс |
| Оптическая мощность насыщения* |
360 мкВт |
180 мкВт |
180 мкВт |
180 мкВт |
| Сопряжение по току |
DC |
| Выходное сопротивление |
50 Ом |
| Эквивалентная мощность шума NEP |
14,1 пВт / √Гц |
14,3 пВт / √Гц |
11,8 пВт / √Гц |
10,9 пВт / √Гц |
| Суммарное выходное шумовое напряжение * |
12 мВ |
15 мВ |
20 мВ |
16 мВ |
* При высоком сопротивлении, если нагрузка составляет 50 Ом, соответствующее значение уменьшается вдвое.
Кривая спектральной фоточувствительности
Si фотоприемник 400-1100 нм
Габариты (единица измерения : мм)

";}i:2;a:3:{title";s:29:"О производителе";id";o-proizvoditele";s:1:"

Компания Beijing Keyang Photonics Technology Co., Ltd. расположена в Пекине. Cпециализируется на исследованиях и разработках, производстве, продаже и обслуживании продуктов, связанных с электрооптической модуляцией и фотоэлектрическими технологиями обнаружения.
Интех Лайтинг является представителем Keyang Photonics на территории России и предоставляет полную техническую поддержку и наиболее выгодные условия поставки продукции компании.";}}
;

Компания Beijing Keyang Photonics Technology Co., Ltd. расположена в Пекине. Cпециализируется на исследованиях и разработках, производстве, продаже и обслуживании продуктов, связанных с электрооптической модуляцией и фотоэлектрическими технологиями обнаружения.
Интех Лайтинг является представителем Keyang Photonics на территории России и предоставляет полную техническую поддержку и наиболее выгодные условия поставки продукции компании.