+7 (812) 565-60-60
Работаем по России и странам
Таможенного Союза
Пн - Пт 9:00 - 18:00 (Мск)
Si PIN-фотодетекторы KY-PDM

Si PIN-фотодетекторы KY-PDM

  • Материал фотодиода Si
  • Диапазон 400-1100 нм
  • Время нарастания <180 ps
  • Полоса пропускания до 2 ГГц
  • Оптический интерфейс FC или Free space
1 ₽
Количество
шт
  • Производитель Keyang Photonics
Фотоприемник серии KY-PDM, работающий в режиме фотодиода без дополнительного усиления, оснащен высокоскоростным аналоговым PIN-фотодиодом с высокой степенью линейности, быстрым откликом и низким уровнем шума и темнового тока. Модуль питается от батареи, а входной оптический интерфейс доступен как волоконного типа, так и free space. Эта серия устройств подходит для применений, в которых оптическая мощность не превышает 10 мВт, таких как определение формы светового импульса, измерение длительности лазерного импульса и др.

Технические характеристики

Параметры производительности
Параметр KY-PDM-2G-S
Спектральный диапазон 400 ~ 1100 нм
Материал Si
Оптический вход FC/APC или Free space
Диаметр активной области фотоэлемента 200 мм
Ширина полосы пропускания (-3 дБ) при 50 Ом DC - 2 ГГц
Время нарастания 180 пс
Темновой ток 20 пА
Ампер-ваттная чувствительность 0,55 A / Вт @ 850 нм
Оптическая мощность насыщения 5 мВт
NEP 9,3x10 -15 Вт / √Гц
Выходное напряжение Макс. 2 В
Источник питания Аккумулятор A23, 12В
Предельно допустимая оптическая мощность 10 мВт
Интерфейс выходного сигнала SMA
Рабочая Температура -20 ~ 65 ° С
;Компания Beijing Keyang Photonics Technology Co., Ltd. расположена в Пекине. Cпециализируется на исследованиях и разработках, производстве, продаже и обслуживании продуктов, связанных с электрооптической модуляцией и фотоэлектрическими технологиями обнаружения. Интех Лайтинг является представителем Keyang Photonics на территории России и предоставляет полную техническую поддержку и наиболее выгодные условия поставки продукции компании.
Si PIN-фотодетекторы KY-PDM
1 ₽

InGaAs PIN фотодетекторы KY-PDM

1 ₽
Производитель
Keyang Photonics
  • Материал фотодиода InGaAs
  • Диапазон 800-1700 нм
  • Время нарастания <70 ps
  • Полоса пропускания до 5 ГГц
шт
Войти Регистрация
Корзина 0 позиций
на сумму 0 ₽