Квадрантные фотодиоды 400-1100 нм KY-SQ

Материал Si
Тип PIN
Вых. сопротивление 50 Вт

Количество

шт

Квадрантный фотоприемник серии KY-QA/P использует импортный четырехквадрантный фотодиод, интегральную схему источника питания и соответствующую схему малошумящего усилителя. Длина волны отклика составляет 400-1100 нм (материал Si) и 800-1700 нм (материал InGaAs). Он доступен во множестве типов, в основном используется для измерения положения лазерного луча в системах и широко используется в лазерной юстировке, лазерной связи, лазерном наведении и других областях.

Технические характеристики

Блок-схема Квадрантный фотоприемник

Вариант 1 ( прецизионное измерение угла ) Квадрантный фотоприемник

Вариант 2 ( точечное выравнивание ) Параметры производительности

PN	KY-SQP-5	KY-SQP-7
Длина волны	400-1100 нм
Диаметр светочувствительной поверхности	5.3 мм	7.8 мм
Тип	PIN
Отзывчивость	0.48A/W@1064nm	0.64A/W@900nm
Зазор	70 мкм	42 мкм
Темновой ток	15нА	2нА
Время отклика	35us	35us
Пропускная способность	100 тыс.	100 тыс.
Усиление V / W	10K @ 905 нм	10K @ 905 нм

Квадрантные фотодиоды 400-1100 нм KY-SQ

1 ₽

Под заказ

Квадрантные фотодетекторы PIN/APD

1 ₽

Производитель: Keyang Photonics

Материал Si
Тип PIN или APD
Диаметр фотоэлемента 4-8 мм
Полоса пропускания до 35 МГц
Вых. сопротивление 50 Ом

шт