+7 (812) 565-60-60
Работаем по России и странам
Таможенного Союза
Пн - Пт 9:00 - 18:00 (Мск)
Si лавинные фотодиоды

Si лавинные фотодиоды

  • Диапазон 400 - 1100 нм
  • Активная область 230, 500 мкм
  • Напряжение пробоя 100 - 220 В
  • Время нарастания < 1.5 нс
  • Темновой ток < 1 нА
1 ₽
Количество
шт
  • Диапазон 400 - 1100 нм
  • Активная область 230, 500 мкм
  • Напряжение пробоя 100 - 220 В
  • Время нарастания < 1.5 нс
  • Темновой ток < 1 нА

Технические характеристики

Параметр Условия измерения Мин. значение Тип. значение Макс. значение Ед. измерения
Тип корпуса Немонтированные чипы, LCC или TO
Спектральный диапазон 400-1100 нм
Диаметр активной области 230/500 мкм
Фоточувствительность λ=905 нм, M=100 50 55 А/Вт
Время нарастания f=1МГц,R=50Ом, λ=905 нм 0,5 1.5 нс
Темновой ток M=100 0.2 0.4 1 нА
Емкость M=100, f=1МГц 1 пФ
Коэффициент усиления 100
Напряжение пробоя IR=10 мкА 100 220 В
Коэффициент температурного дрейфа Tc=-40℃~85℃ 0.7 В/℃
Si лавинные фотодиоды
1 ₽

Балансные фотодетекторы KY-BPRM-10G/25G

1 ₽
Производитель
Keyang Photonics
  • Диапазон 1300-1700 нм
  • Время отклика <14 пс
  • Полоса пропускания до 25 ГГц
  • Перекрестные помехи >-40 дБ
  • Коэффициент усиления 500В/Вт
шт

Быстродействующий фотодетектор KY-PRM-40G с усилителем

1 ₽
Производитель
Keyang Photonics
  • Длина волны 850-1650 нм
  • Полоса пропускания до 31 ГГц
  • Коэффициент усиления 2100 В/Вт
  • Фоточувствительность 0.6 А/Вт
  • Оптический разъем FC/APC
шт

Компактный быстродействующий ​​InGaAs-фотодиод

1 ₽
Производитель
NEON
  • Длины волн 1000-1650 нм
  • Полоса пропускания до 20 ГГц
  • Оптическая мощность до +10 дБм
  • Темновой ток ≤ 10 нА
  • Амплитудная неравномерность ≤ ± 2 дБ
шт
Войти Регистрация
Корзина 0 позиций
на сумму 0 ₽