Высокоскоростной микроволновый InGaAs лазерный фотоприемник с усилением

Длины волн 1000-1650 нм

Количество

шт

Под заказ

Производитель NEON

AMPD-S представляет собой лазерный фотодетектор, интегрированный с широкополосным фотодиодом InGaAs и малошумящим усилителем. Длина волны отклика PIN-фотодиода InGaAs составляет от 1000 до 1650 нм. ВЧ-усиление малошумящего усилителя составляет 15 дБ. Фотодиодный лазерный детектор AMPD-S может обеспечивать полосу пропускания 12 ГГц и 18 ГГц. Модуль работает от напряжения питания +5В. Он соответствует стандартному одномодовому оптоволоконному входу 9/125 мкм. Выходной порт RF представляет собой разъем, совместимый с SMA, с сопротивлением 50 Ом. APMD-S герметичен и весит менее 23 граммов.

Технические характеристики

Типичный и абсолютный максимальный рейтинг
Параметр	Сим.	Тип	Рейтинг	Ед. изм
Диапазон температур хранения	ТСТГ	-45 ～ +85	-55 ～ +100	℃
Диапазон температур рабочего корпуса	ТС	25	-40 ～ +85	℃
Напряжение смещения	VR	5	+5 ～ +9	В
Оптическая входная мощность	Штырь	0	10	дБм
Выгорающая оптическая мощность	ПБ	–	13	дБм
Температура пайки свинцом	Тп	280（10с）	330（10с）	℃