Лазерные диоды 25G CWDM

Длина волны 1270-1370 нм
Оптическая мощность 7 мВт
Рабочая температура -20... +85℃

Количество

шт

Под заказ

Производитель Denselight Semiconductors

Серия DL-DFBxx106D-25-E - это одномодовый DFB лазер с частотой прямой модуляции до 25 Гбит/с, разработанный специально для цифровых CWDM сетей. В этой серии лазерных чипов используется дизайн активной области гетероструктуры с несколькими квантовыми ямами InGaAlAs, интегрированной с гребенчатым волноводом. Приборная структура рассчитана на работу без дополнительного охлаждения. Лазерные диоды этой серии отличаются низким порогом генерации, широкой полосой пропускания и широким рабочим диапазон температур.

Технические характеристики

Параметр	Условия измерения	Мин	Тип	Макс	Ед изм.
Пороговый ток (Ith)	25°C		9	15	мА
Пороговый ток (Ith)	85°C			25	мА
Оптическая мощность	25°C, Ith+30мА	6	7		мВт
Прямое смещение	25°C, Ith+30мА			2	В
Дифференциальная эффективность	25°C, Ith+30мА		0.25		мВт/мА
Дифференциальная эффективность	85°C, Ith+30мА	0.07			мВт/мА
Рабочий ток	25°C			60	мА
Рабочий ток	85°C		70	100	мА
Центральная длина волны	-20°C~85°C	1264.5	1271	1277.5	нм
		1284.5	1291	1297.5	нм
		1304.5	1311	1317.5	нм
		1324.5	1331	1337.5	нм
		1344.5	1351	1357.5	нм
		1364.5	1371	1377.5	нм
Коэффициент подавления боковых мод (SMSR)	Ith + 30мА	30	35		дБ
Температурный сдвиг центральной длины волны	CW		0.1		нм/°C
Сопротивление	Ith+30мА		10
Полоса пропускания (3 дБ)	25°C, 50мА	20			ГГц
Полоса пропускания (3 дБ)	85°C, 60мА	15.5			ГГц
Частота затухания колебаний	25°C, 50мА			10	ГГц

;Denselight Semiconductors - это вертикальное полностью интегрированное серийное производство: от изготовления эпитаксиальных полупроводниковых пластин до тестирования и упаковки plug & play источников излучения. Инженерные, испытательные и производственные помещения расположены в чистом помещении площадью 15 000 кв. футов. Компания предлагаем комплексные решения для пользователей, представляющих как промышленные, так и научно-исследовательские организации, ведущие свою деятельность в области оптических телекоммуникаций, диагностического медицинского оборудования и оптической сенсорики. Линейка продукции компании включает: эпитаксиальные гетероструктуры на основе группы материалов InP/InGaAsP/AlGaAs, чиповые структуры FP, DFB лазеров и оптических усилителей (SOA), корпусированные лазерные диоды и суперлюминесцентные диоды с волоконным выводом излучения, узкополосные лазерные модули и широкополосные источники суперлюминесцентного излучения. Все продукты компании проходят жесткий контроль качества на всех этапах производства.