Лазерные диоды 25G LWDM

Длина волны 1269-1318 нм
Оптическая мощность 7 мВт
Рабочая температура +50℃ TEC

Количество

шт

Под заказ

Производитель Denselight Semiconductors

Серия DL-DFBxxy06D-25-TL-NH - это одномодовый DFB лазер с частотой прямой модуляции до 25 Гбит/с, разработанный специально для цифровых LWDM сетей. В этой серии лазерных чипов используется дизайн активной области гетероструктуры с несколькими квантовыми ямами InGaAlAs, интегрированной с гребенчатым волноводом. Приборная структура рассчитана на работу c TE-охлаждением и без герметичной упаковки. Лазерные диоды этой серии отличаются низким порогом генерации, широкой полосой пропускания и стабильной высокой оптической мощностью.

Технические характеристики

Параметр	Условия измерения	Мин	Тип	Макс	Ед изм
Пороговый ток (Ith)	25°C		9	15	мА
Пороговый ток (Ith)	75°C			25	мА
Оптическая мощность	25°C, Ith+30мА	6	7		мВт
Прямое смещение	25°C, Ith+30мА			2	В
Дифференциальная эффективность	25°C, Ith+30мА	0.25			мВт/мА
Рабочий ток	50°C			60	мА
Центральная длина волны	50°C/50мА	1294.53	1295.56	1296.59	нм
		1299.02	1300.05	1301.08	нм
		1303.55	1304.58	1305.61	нм
		1308.11	1309.14	1310.17	нм
		1272.51	1273.54	1274.57	нм
		1276.86	1277.89	1278.92	нм
		1281.23	1282.26	1283.29	нм
		1285.63	1286.66	1287.69	нм
		1290.08	1291.11	1292.14	нм
		1312.70	1313.73	1314.76	нм
		1317.32	1318.35	1319.38	нм
		1268.20	1269.23	1270.26	нм
Коэффициент подавления боковых мод (SMSR)	50°C/50мА	30	35		дБ
Температурный сдвиг центральной длины волны	CW		0.1		нм/°C
Сопротивление	Ith+30мА		10
Полоса пропускания (3дБ)	25°C,50мА	20			ГГц
Полоса пропускания (3дБ)	75°C,60мА	15.5			ГГц
Частота затухания колебаний	75°C,60мА		10		ГГц

;Denselight Semiconductors - это вертикальное полностью интегрированное серийное производство: от изготовления эпитаксиальных полупроводниковых пластин до тестирования и упаковки plug & play источников излучения. Инженерные, испытательные и производственные помещения расположены в чистом помещении площадью 15 000 кв. футов. Компания предлагаем комплексные решения для пользователей, представляющих как промышленные, так и научно-исследовательские организации, ведущие свою деятельность в области оптических телекоммуникаций, диагностического медицинского оборудования и оптической сенсорики. Линейка продукции компании включает: эпитаксиальные гетероструктуры на основе группы материалов InP/InGaAsP/AlGaAs, чиповые структуры FP, DFB лазеров и оптических усилителей (SOA), корпусированные лазерные диоды и суперлюминесцентные диоды с волоконным выводом излучения, узкополосные лазерные модули и широкополосные источники суперлюминесцентного излучения. Все продукты компании проходят жесткий контроль качества на всех этапах производства.