+7 (812) 565-60-60
Работаем по России и странам
Таможенного Союза
Пн - Пт 9:00 - 18:00 (Мск)
Малошумящие InGaAs PIN-детекторы с усилителем (Free space) KY-PRM

Малошумящие InGaAs PIN-детекторы с усилителем (Free space) KY-PRM

  • Диапазон 4 00~1700 нм
  • Диаметр фотоэлемента 0.1-1 мм
  • Полоса пропускания до 200 МГц
  • Время нарастания < 4.7 нс
  • Оптический вход free space или FC/APC
1 ₽
Количество
шт
  • Производитель Keyang Photonics
Малошумящие PIN-фотоприемники серии KY-PRM объединяют высоколинейный аналоговый PIN-детектор (GaN, Si  или InGaAs) и малошумящий широкополосный трансимпедансный усилитель с высоким коэффициентом усиления, высокой чувствительностью, сопряжению по переменному току и равномерным усилением. Модуль питается от положительного напряжения 12 В, а входной оптический интерфейс доступен как для оптического волокна, так и для пространственных источников излучения. Волоконный интерфейс универсален для одномодового и многомодового оптического волокна.  Электрический сигнал передается через аналоговый выход SMA. Фотодетекторы в основном используются для анализа амплитудно-фазовых характеристик пико и нано секундных оптических импульсов, лазерной связи, лазерных радарах, оптоволоконной системе зондирования и других приложениях. Также фотоприемные модули доступны в мультиканальном исполнении.

Технические характеристики

Параметры производительности
PN KY-PRM-200M-I1 KY-PRM-100M-I1 KY-PRM-BW-I-FS
Тип детектора InGaAs / PIN InGaAs / PIN
Оптический вход Free Space или FC/APC Free Space
Спектральный диапазон 400 ~ 1700 нм 800 ~ 1700 нм
Пиковая фоточувствительность 0.9 А/Вт@1550 нм 0.9А/Вт@1550 нм
Диаметр активной области фотоэлемента 100 мкм 1мм 200 мкм 500 мкм
Ширина полосы пропускания (3 дБ) 200 МГц 75 МГц 200 МГц 150 МГц
Усиление* 1x104 В/Вт @1550 нмm 2,5x10 3 В / Вт при 650 нм 2x104 В/Вт @1550 нм 7x103 В/Вт @650 нм 20кВ/Вт  @ 1550 нм 20кВ/Вт @1550 нм
Время нарастания 2,4 нс 4,7 нс 2,4 нс 3,5 нс
Оптическая мощность насыщения* 360 мкВт 180 мкВт 180 мкВт 180 мкВт
Сопряжение по току DC
Выходное сопротивление 50 Ом
Эквивалентная мощность шума NEP 14,1 пВт / √Гц 14,3 пВт / √Гц 11,8 пВт / √Гц 10,9 пВт / √Гц
Суммарное выходное шумовое напряжение * 12 мВ 15 мВ 20 мВ 16 мВ
* При высоком сопротивлении, если нагрузка составляет 50 Ом, соответствующее значение уменьшается вдвое. Кривая спектральной фоточувствительности   Si фотоприемник 400-1100 нм Малошумящий фотоприемник PIN с усилителем Габариты (единица измерения : мм)   Малошумящий фотоприемник PIN с усилителем  ";}i:2;a:3:{title";s:29:"О производителе";id";o-proizvoditele";s:1:"Компания Beijing Keyang Photonics Technology Co., Ltd. расположена в Пекине. Cпециализируется на исследованиях и разработках, производстве, продаже и обслуживании продуктов, связанных с электрооптической модуляцией и фотоэлектрическими технологиями обнаружения. Интех Лайтинг является представителем Keyang Photonics на территории России и предоставляет полную техническую поддержку и наиболее выгодные условия поставки продукции компании.";}}
;Компания Beijing Keyang Photonics Technology Co., Ltd. расположена в Пекине. Cпециализируется на исследованиях и разработках, производстве, продаже и обслуживании продуктов, связанных с электрооптической модуляцией и фотоэлектрическими технологиями обнаружения. Интех Лайтинг является представителем Keyang Photonics на территории России и предоставляет полную техническую поддержку и наиболее выгодные условия поставки продукции компании.
Малошумящие InGaAs PIN-детекторы с усилителем (Free space) KY-PRM
1 ₽

Лавинные фотодетекторы Si (FС/PC) KY-APRM

1 ₽
Производитель
Keyang Photonics
  • Диапазон 400 - 1100 нм
  • Диаметр фотоэлемента 0.5 мм
  • Полоса пропускания до 1 ГГц
  • Время нарастания < 35 нс
  • Оптическая мощность до 10 мВт
шт

Малошумящие Si PIN-детекторы с усилителем KY-PRM

1 ₽
Производитель
Keyang Photonics
  • Диапазон 400~1100 нм
  • Диаметр фотоэлемента 0.2-4.2 мм
  • Полоса пропускания до 1.5 ГГц
  • Время нарастания < 350 нс
  • Оптический вход FC/APC или Free space
шт

Лавинные Si фотодетекторы (Free space) KY-APRM

1 ₽
Производитель
Keyang Photonics
  • Диапазон 400 - 1100 нм
  • Диаметр фотоэлемента 0.2 - 1 мм
  • Полоса пропускания до 400 МГц
  • Время нарастания < 70 нс
  • Оптическая мощность до 10 мВт
шт
Войти Регистрация
Корзина 0 позиций
на сумму 0 ₽