Каталог
Лазерные диоды 25G CWDM
- Длина волны 1270-1370 нм
- Оптическая мощность 7 мВт
- Рабочая температура -20… +85℃
Описание
Серия DL-DFBxx106D-25-E — это одномодовый DFB лазер с частотой прямой модуляции до 25 Гбит/с, разработанный специально для цифровых CWDM сетей. В этой серии лазерных чипов используется дизайн активной области гетероструктуры с несколькими квантовыми ямами InGaAlAs, интегрированной с гребенчатым волноводом. Приборная структура рассчитана на работу без дополнительного охлаждения. Лазерные диоды этой серии отличаются низким порогом генерации, широкой полосой пропускания и широким рабочим диапазон температур.
Технические характеристики
| Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс | Ед изм. |
| Пороговый ток (Ith) | 25°C | 9 | 15 | мА | |
| 85°C | 25 | ||||
| Оптическая мощность | 25°C, Ith+30мА | 6 | 7 | мВт | |
| Прямое смещение | 25°C, Ith+30мА | 2 | В | ||
| Дифференциальная эффективность | 25°C, Ith+30мА | 0.25 | мВт/мА | ||
| 85°C, Ith+30мА | 0.07 | ||||
| Рабочий ток | 25°C | 60 | мА | ||
| 85°C | 70 | 100 | мА | ||
| Центральная длина волны | -20°C~85°C | 1264.5 | 1271 | 1277.5 | нм |
| 1284.5 | 1291 | 1297.5 | нм | ||
| 1304.5 | 1311 | 1317.5 | нм | ||
| 1324.5 | 1331 | 1337.5 | нм | ||
| 1344.5 | 1351 | 1357.5 | нм | ||
| 1364.5 | 1371 | 1377.5 | нм | ||
| Коэффициент подавления боковых мод (SMSR) | Ith + 30мА | 30 | 35 | дБ | |
| Температурный сдвиг центральной длины волны | CW | 0.1 | нм/°C | ||
| Сопротивление | Ith+30мА | 10 | |||
| Полоса пропускания (3 дБ) | 25°C, 50мА | 20 | ГГц | ||
| 85°C, 60мА | 15.5 | ||||
| Частота затухания колебаний | 25°C, 50мА | 10 | ГГц |
О производителе
Denselight Semiconductors — это вертикальное полностью интегрированное серийное производство: от изготовления эпитаксиальных полупроводниковых пластин до тестирования и упаковки plug & play источников излучения. Инженерные, испытательные и производственные помещения расположены в чистом помещении площадью 15 000 кв. футов. Компания предлагаем комплексные решения для пользователей, представляющих как промышленные, так и научно-исследовательские организации, ведущие свою деятельность в области оптических телекоммуникаций, диагностического медицинского оборудования и оптической сенсорики. Линейка продукции компании включает: эпитаксиальные гетероструктуры на основе группы материалов InP/InGaAsP/AlGaAs, чиповые структуры FP, DFB лазеров и оптических усилителей (SOA), корпусированные лазерные диоды и суперлюминесцентные диоды с волоконным выводом излучения, узкополосные лазерные модули и широкополосные источники суперлюминесцентного излучения. Все продукты компании проходят жесткий контроль качества на всех этапах производства.
