Лазерные диоды 25G CWDM

  • Длина волны 1270-1370 нм
  • Оптическая мощность 7 мВт
  • Рабочая температура -20… +85℃
Спецификация

Описание

Серия DL-DFBxx106D-25-E — это одномодовый DFB лазер с частотой прямой модуляции до 25 Гбит/с, разработанный специально для цифровых CWDM сетей. В этой серии лазерных чипов используется дизайн активной области гетероструктуры с несколькими квантовыми ямами InGaAlAs, интегрированной с гребенчатым волноводом. Приборная структура рассчитана на работу без дополнительного охлаждения. Лазерные диоды этой серии отличаются низким порогом генерации, широкой полосой пропускания и широким рабочим диапазон температур.

Технические характеристики

Параметр Условия измерения Мин Тип Макс Ед изм.
Пороговый ток (Ith) 25°C 9 15 мА
85°C 25
Оптическая мощность 25°C, Ith+30мА 6 7 мВт
Прямое смещение 25°C, Ith+30мА 2 В
Дифференциальная эффективность 25°C, Ith+30мА 0.25 мВт/мА
85°C, Ith+30мА 0.07
Рабочий ток 25°C 60 мА
85°C 70 100 мА
Центральная длина волны -20°C~85°C 1264.5 1271 1277.5 нм
1284.5 1291 1297.5 нм
1304.5 1311 1317.5 нм
1324.5 1331 1337.5 нм
1344.5 1351 1357.5 нм
1364.5 1371 1377.5 нм
Коэффициент подавления боковых мод (SMSR) Ith + 30мА 30 35 дБ
Температурный сдвиг центральной длины волны CW 0.1 нм/°C
Сопротивление Ith+30мА 10
Полоса пропускания (3 дБ) 25°C, 50мА 20 ГГц
85°C, 60мА 15.5
Частота затухания колебаний 25°C, 50мА 10 ГГц

О производителе

Denselight Semiconductors — это вертикальное полностью интегрированное серийное производство: от изготовления эпитаксиальных полупроводниковых пластин до тестирования и упаковки plug & play источников излучения. Инженерные, испытательные и производственные помещения расположены в чистом помещении площадью 15 000 кв. футов. Компания предлагаем комплексные решения для пользователей, представляющих как промышленные, так и научно-исследовательские организации, ведущие свою деятельность в области оптических телекоммуникаций, диагностического медицинского оборудования и оптической сенсорики. Линейка продукции компании включает: эпитаксиальные гетероструктуры на основе группы материалов InP/InGaAsP/AlGaAs, чиповые структуры FP, DFB лазеров и оптических усилителей (SOA), корпусированные лазерные диоды и суперлюминесцентные диоды с волоконным выводом излучения, узкополосные лазерные модули и широкополосные источники суперлюминесцентного излучения. Все продукты компании проходят жесткий контроль качества на всех этапах производства.