Лазерные диоды 25G MWDM
- Длина волны 1267-1374 нм
- Оптическая мощность 7 мВт
- Рабочая температура +50℃ TEC
Описание
Серия DL-DFBxxy06D-25-TM-NH — это одномодовый DFB лазер с частотой прямой модуляции до 25 Гбит/с, разработанный специально для цифровых MWDM сетей. В этой серии лазерных чипов используется дизайн активной области гетероструктуры с несколькими квантовыми ямами InGaAlAs, интегрированной с гребенчатым волноводом. Приборная структура рассчитана на работу с TE-охлаждением в негерметичной упаковке. Лазерные диоды этой серии отличаются низким порогом генерации, широкой полосой пропускания и стабильной высокой оптической мощностью.
Технические характеристики
Параметр | Условия измерения | Мин | Тип | Макс | Ед изм. | ||||||
Пороговый ток (Ith) | 25°C | 9 | 15 | мА | |||||||
75°C | 25 | ||||||||||
Оптическая мощность | 25°C, Ith+30мА | 6 | 7 | мВт | |||||||
Прямое смещение | 25°C, Ith+30мА | 2 | В | ||||||||
Дифференциальная эффективность | 25°C, Ith+30мА | 0.25 | мВт/мА | ||||||||
Рабочий ток | 50°C | 60 | мА | ||||||||
Центральная длина волны
|
50°C/50мА
|
1265 | 1267.5 | 1270 | нм | ||||||
1272 | 1274.5 | 1277 | нм | ||||||||
1285 | 1287.5 | 1290 | нм | ||||||||
1292 | 1294.5 | 1297 | нм | ||||||||
1305 | 1307.5 | 1310 | нм | ||||||||
1312 | 1314.5 | 1317 | нм | ||||||||
1325 | 1327.5 | 1330 | нм | ||||||||
1332 | 1334.5 | 1337 | нм | ||||||||
1345 | 1347.5 | 1350 | нм | ||||||||
1352 | 1354.5 | 1357 | нм | ||||||||
1365 | 1367.5 | 1370 | нм | ||||||||
1372 | 1374.5 | 1377 | нм | ||||||||
Коэффициент подавления боковых мод (SMSR) | 50°C/50мА | 30 | 35 | дБ | |||||||
Температурный сдвиг центральной длины волны | CW | 0.1 | нм/°C | ||||||||
Сопротивление | Ith+30мА | 10 | Ом | ||||||||
Полоса пропускания (3 дБ) | 25°C, 50мА | 20 | ГГц | ||||||||
75°C, 60мА | 15.5 | ||||||||||
Частота затухания колебаний | 75°C, 60мА | 10 | ГГц |
О производителе
Denselight Semiconductors — это вертикальное полностью интегрированное серийное производство: от изготовления эпитаксиальных полупроводниковых пластин до тестирования и упаковки plug & play источников излучения. Инженерные, испытательные и производственные помещения расположены в чистом помещении площадью 15 000 кв. футов. Компания предлагаем комплексные решения для пользователей, представляющих как промышленные, так и научно-исследовательские организации, ведущие свою деятельность в области оптических телекоммуникаций, диагностического медицинского оборудования и оптической сенсорики. Линейка продукции компании включает: эпитаксиальные гетероструктуры на основе группы материалов InP/InGaAsP/AlGaAs, чиповые структуры FP, DFB лазеров и оптических усилителей (SOA), корпусированные лазерные диоды и суперлюминесцентные диоды с волоконным выводом излучения, узкополосные лазерные модули и широкополосные источники суперлюминесцентного излучения. Все продукты компании проходят жесткий контроль качества на всех этапах производства.