Импульсные лазерные диоды 905 нм, 1000 Вт
- Длина волны 905 нм
- Оптическая мощность 1000 Вт
- Длительность импульса 100 нс
- Ширина спектра 6 нм
- Рабочий ток 320 А
Описание
Мощные лазерные диоды 905 нм, работающие в QCW режиме генерации, разработаны на основе уникального зонного дизайна гетероструктуры, содержащей сразу несколько туннельно связанных активных областей (эмиттеров). Такой подход позволяет достичь высокой мощности излучения до 125 Вт при длительности импульса порядка 100 нс и инжекционном токе менее 40 А. Единичные излучатели могут быть объединены в матричные конструкции (линейки и двумерные матрицы) для увеличения суммарной оптической мощности, которая может достигать несколько киловатт в одном импульсе. Лазерные диоды доступны в металлических корпусах TO-типа (в т. ч. с дополнительной коллимирующей микрооптикой), в пластиковых корпусах или в виде немонтированных чипов. Основная область применения: лазерная дальнометрия и LIDAR.
Технические характеристики
Параметр | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Ед. измерения |
Центральная длина волны | 895 | 905 | 915 | нм |
Пиковая мощность в импульсе | 990 | 1000 | 1010 | Вт |
Ширина спектра (FWHM) | 6 | 10 | нм | |
Рабочее напряжение | 15 | 16 | В | |
Пороговый ток | 6.0 | 6.2 | A | |
Угол расходимости излучения по быстрой оси | 29 | град | ||
Угол расходимости излучения по медленной оси | 12 | град | ||
Ширина импульса | 100 | нс | ||
Частота повторения импульсов | 5 | кГц | ||
Рабочий ток | 318 | 320 | 322 | А |
Длина чипа | 790 | 800 | 810 | мкм |
Ширина чипа | 3190 | 3200 | 3210 | мкм |
Толщина чипа | 125 | 135 | 145 | мкм |
Размер эмиттерной области | 200×10 | мкм | ||
Кол-во эмиттеров | 8 |
Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C