Лазерные диоды 1064 нм, 10 Вт на сабмаунте

  • Центр. длина волны 1064 нм
  • Оптическая мощность 10 Вт (CW)
  • Ширина спектра < 2.5 нм
  • Ширина эмиттера 190 мкм
  • Рабочий ток 14 А

Описание

Мощные лазерные диоды диапазона 1064 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с эффективностью электро-оптического преобразования свыше 54% и порогового тока менее 2 А. Лазерные диоды 1064 нм нашли широкое применение в технологических системах обработки материалов, медицине, научных исследованиях и других областях.

Технические характеристики

Параметр Тип. значение
Тип корпуса немонтированный чип, COS, TO-can
Центральная длина волны 1064 нм
Оптическая мощность (CW) 10 Вт
Ширина спектра (FWHM) 2.5 нм
Рабочее напряжение 1.7 В
Пороговый ток 1.8 А
Эффективность электро-оптического преобразования 54%
Угол расходимости излучения по быстрой оси 30 град
Угол расходимости излучения по медленной оси 10 град
Рабочий ток 14 А
Длина чипа (резонатора) 4000 мкм
Ширина чипа 500 мкм
Толщина чипа 150 мкм
Ширина эмиттера 190 мкм

Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C

О производителе