Лазерные диоды 1064 нм, 10 Вт на сабмаунте
- Центр. длина волны 1064 нм
- Оптическая мощность 10 Вт (CW)
- Ширина спектра < 2.5 нм
- Ширина эмиттера 190 мкм
- Рабочий ток 14 А
Описание
Мощные лазерные диоды диапазона 1064 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с эффективностью электро-оптического преобразования свыше 54% и порогового тока менее 2 А. Лазерные диоды 1064 нм нашли широкое применение в технологических системах обработки материалов, медицине, научных исследованиях и других областях.
Технические характеристики
Параметр | Тип. значение |
Тип корпуса | немонтированный чип, COS, TO-can |
Центральная длина волны | 1064 нм |
Оптическая мощность (CW) | 10 Вт |
Ширина спектра (FWHM) | 2.5 нм |
Рабочее напряжение | 1.7 В |
Пороговый ток | 1.8 А |
Эффективность электро-оптического преобразования | 54% |
Угол расходимости излучения по быстрой оси | 30 град |
Угол расходимости излучения по медленной оси | 10 град |
Рабочий ток | 14 А |
Длина чипа (резонатора) | 4000 мкм |
Ширина чипа | 500 мкм |
Толщина чипа | 150 мкм |
Ширина эмиттера | 190 мкм |
Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C