Лазерные диоды 755 нм, 8 Вт на сабмаунте

  • Центр. длина волны 755 нм
  • Оптическая мощность 8 Вт (CW)
  • Ширина спектра 2 нм
  • Ширина эмиттера 350 мкм
  • Рабочий ток 8 А
Категория:

Описание

Мощные лазерные диоды диапазона 755 нм, работающие в CW режиме генерации, разработаны на основе оптимизированного зонного дизайна гетероструктуры с эффективностью электро-оптического преобразования свыше 50% и порогового тока менее 2 А. Лазерные диоды 755 нм находят широкое в медицинских лазерных установках предназначенных для активации молекул меланина в слоях дермы кожи.

Технические характеристики

Параметр Тип. значение
Тип корпуса немонтированный чип, COS, TO-can
Центральная длина волны 755 нм
Оптическая мощность (CW) 8 Вт
Ширина спектра (FWHM) 2 нм
Рабочее напряжение 1.9 В
Пороговый ток < 2 А
Эффективность электро-оптического преобразования 52%
Угол расходимости излучения по быстрой оси 36 град
Угол расходимости излучения по медленной оси 10 град
Рабочий ток 8 А
Длина чипа 2500 мкм
Ширина чипа 500 мкм
Толщина чипа 150 мкм
Ширина эмиттера 350 мкм

Характеристики излучения измерены при температуре T=25 C

О производителе

Похожие товары

ООО «Интех Лайтинг» поставщик лазерных и светодиодных источников излучения, фотоэлектрических преобразователей и оптических модуляторов, контрольно-измерительного и технологического оборудования, комплектующих и материалов для высокотехнологичных областей науки и промышленности. Мы оказываем услуги научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ (НИОКР) в области оптоэлектроники и оптической метрологии.
196105, Россия, г. Санкт-Петербург, ул. Свеаборгская д.12, 54H
+7 (812) 565-60-60