Каталог
Пикосекундный диодный лазер 1550 нм
- Длина волны 1550 нм
- Ширина импульса 50~2000 пс
- Оптическая мощность до 10 мВт
- Ширина спектра 1 нм
- Частота модуляции до 1 ГГц
Описание
Предлагаемый источник пикосекундных лазерных импульсов представляет собой компактное устройство на основе полупроводниковых лазерных диодов, которые могут работать на частоте модуляции, задаваемой пользователем. Лазерный модуль обладает сверхшироким диапазоном частотной модуляции. Самая низкая частота модуляции составляет менее 10 кГц, а самая высокая — до 1 ГГц. Длина волны и длительность импульса могут быть настроены в соответствии с требованиями пользователя. Ширина полосы генерации соответствует значениям от 50 пс до 2 нс, что может контролироваться с помощью программного обеспечения. Компактный дизайн устройства и удобный пользовательский интерфейс позволяет интегрировать лазерный модуль в более сложные системы.
Применение
- квантовые криптография
- время разрешенная спектроскопия
- биолюминесценция
- лазерная дальнометрия
- оптика полупроводников
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Единица измерения |
| Длина волны | 1550 | нм |
| Ширина импульса | 50~2000 | пс |
| Максимальная оптическая мощность | 10 | мВт |
| Ширина полосы генерации | 1 | нм |
| Временной джиттер | <20 | пс |
| Режим триггера | Внутренний запуск 100 кГц ~ 100 МГц
Внешний запуск 10 кГц ~ 1 ГГц |
|
| Оптический выход | Разъем FC (для оптоволокна SMF28e ) | |
| Рабочая Температура | 0~35 | °С |
| Габариты | 103×167×45 | мм |
| Напряжение питания | 5 | В |
| Потребляемая мощность | <10 | Вт |
