Узкополосный лазерный модуль DL-BF12
- Длина волны 1260-1670 нм
- Ширина спектра < 50 кГц
- Оптическая мощность 5-10 мВт
- Стабильность длины волны +/- 1 пм
Описание
Конструкция компактных лазерных модулей DL-BF12 включает в себя одночастотный лазерный диод в фирменном 14-контактном корпусе «бабочка» производства DenseLight, встроенный драйвер тока и контроллер температуры. Благодаря широкому выбору лазерных диодов семейства CLS, доступен весь диапазон излучения, соответствующий окну прозрачности оптического волокна от 1260 до 1670 нм. Устройство обладает высоким уровнем спектральной и энергетической стабильности излучения и низкими показателями фазового и амплитудного шума. Серия DL-BF11 обладает узкой полосой генерации (<50 кГц) и высоким уровнем выходной мощности от 5 до 10 мВт (в зависимости от выбора лазерного диода), а также возможностью перестройки центральной длины волны в диапазоне 300 пм и прямой амплитудной модуляции излучения с частотой до 200 МГц. DL-BF12 является наиболее универсальным источником лазерного излучения в серии BF и благодаря гибким возможностям управления параметрами излучения, подходит не только для интеграции в промышленные системы оптической сенсорики и оптической связи, но и для проведения фундаментальных лабораторных исследований.
Технические характеристики
Центральная длина волны | 1260-1670 нм |
Режим генерации | непрерывный (CW) |
Ширина спектра | < 50 кГц |
Оптическая мощность в непрерывном режиме генерации | 5-10 мВт (CW) |
Оптическая мощность в импульсном режиме генерации | до 50 мВт (Pulse) |
Стабильность центральной длины волны | лучше +/- 1 пм |
SMSR | > 35 дБ |
Диапазон перестройки центральной длины волны | до 300 пм |
Частота аналоговой модуляции | до 20 МГц |
Частота цифровой модуляции | до 200 МГц |
Тип оптического разъема | SMF28/PMF-Panda FC/APC разъем или патч-корд |
Встроенный оптический изолятор | по запросу |
Параметры питания | 5В DC |
Габаритные размеры | 120 x 93 x 36.5 мм |
Рабочая температура | 0 - 50 °C |
О производителе
Denselight Semiconductors — это вертикальное полностью интегрированное серийное производство: от изготовления эпитаксиальных полупроводниковых пластин до тестирования и упаковки plug & play источников излучения. Инженерные, испытательные и производственные помещения расположены в чистом помещении площадью 15 000 кв. футов. Компания предлагаем комплексные решения для пользователей, представляющих как промышленные, так и научно-исследовательские организации, ведущие свою деятельность в области оптических телекоммуникаций, диагностического медицинского оборудования и оптической сенсорики. Линейка продукции компании включает: эпитаксиальные гетероструктуры на основе группы материалов InP/InGaAsP/AlGaAs, чиповые структуры FP, DFB лазеров и оптических усилителей (SOA), корпусированные лазерные диоды и суперлюминесцентные диоды с волоконным выводом излучения, узкополосные лазерные модули и широкополосные источники суперлюминесцентного излучения. Все продукты компании проходят жесткий контроль качества на всех этапах производства.