Подложки GaSb

Диаметр до 4 дюймов
Толщина 0.5 - 0.8 мм
Одна/двухсторонняя полировка
Ориентация <100>, <111>

Количество

шт

Антимонид галлия (GaSb) является одним из важнейших полупроводниковых материалов для инфракрасной оптоэлектроники. На основе GaSb производятся многие неохлаждаемые одноканальные и матричные инфракрасные детекторы средневолнового и длинноволнового ИК диапазона. Фотоприемные устройства на основе GaSb обладают долгим сроком службы, высокой чувствительностью и надежностью. Подложки GaSb также широко применяются в технологии эпитаксиального роста лазерных гетероструктур.

Технические характеристики

Метод роста	LEC, VGF, VBG
Диаметр	2, 3, 4"
Толщина	0.5, 0.6, 0.8 мм
Кристаллографическая ориентация	<100>, <111>
Допустимая разориентация	+/- 0.5 град
Легирование	Нелегированная, n- типа (легированная Te), p-типа (легированная Zn)
Концентрация примеси	(0.1 - 2)x10¹⁸ см^-3
Полировка	Односторонняя или двухсторонняя
Плотность поверхностных дефектов (EPD)	<2000/cm2, другие по запросу
Шероховатость	Ra < 5A @ 5x5 мкм

Подложки GaSb

1 ₽

Под заказ

Подложки GaSb

Технические характеристики

Подложки Ge

Подложки InP

Подложки SiC

Подложки GaN