Подложки InP

Диаметр до 4 дюймов
Толщина 0.35 - 0.6 мм
Одна/двухсторонняя полировка
Ориентация <100>, <111>

Количество

шт

Фосфид индия (InP) - исключительно важный материал для полупроводниковой промышленности, обладающий такими преимуществами, как высокая предельная скорость дрейфа электронов, высокая радиационная стойкость и теплопроводность. Эти материалы эффективны для производства высокочастотных, высокоскоростных и высокомощных микроволновых устройств и интегральных схем. InP широко используется в твердотельном освещении, микроволновой связи, волоконно-оптической связи, солнечных элементах, навигации и других гражданских и военных областях.

Технические характеристики

Метод роста	LEC,VCZ/P-LEC , VGF, VB
Диаметр	2, 3, 4, 6"
Толщина	0.35, 0.6 мм
Кристаллографическая ориентация	<100>, <111>
Допустимая разориентация	+/- 0.5 град
Легирование	Нелегированная, n- типа (легированная S или Fe), p-типа (легированная Zn)
Концентрация примеси	(0.6 - 6)x10¹⁸ см^-3
Полировка	Односторонняя или двухсторонняя
Плотность поверхностных дефектов (EPD)	<2000/cm2, другие по запросу
Шероховатость	Ra < 5A @ 5x5 мкм

Подложки InP

1 ₽

Под заказ

Подложки InP

Технические характеристики

Подложки Ge

Подложки SiC

Подложки GaN

Подложки InAs