Подложки InAs

Диаметр до 4 дюймов
Толщина 0.5 - 0.8 мм
Одна/двухсторонняя полировка
Ориентация <100>, <111>

Количество

шт

Монокристалл InAs может использоваться в качестве материала подложки для производства эпитаксиальных гетероструктур InAsSb/AlGaAsSb для устройств инфракрасной оптоэлектроники, таких как оптические газоанализаторы или светодиоды. Кроме того, кристалл InAs является идеальным материалом для изготовления устройств на основе эффекта Холла благодаря высокой подвижности электронов.

Технические характеристики

Метод роста	LEC
Диаметр	2, 3, 4"
Толщина	0.5, 0.6, 0.8 мм
Кристаллографическая ориентация	<100>, <111>
Допустимая разориентация	+/- 0.5 град
Легирование	Нелегированная, n- типа (легированная Sn или S), p-типа (легированная Zn)
Концентрация примеси	(0.1 - 2)x10¹⁸ см^-3
Полировка	Односторонняя или двухсторонняя
Плотность поверхностных дефектов (EPD)	<5000/cm2, другие по запросу
Шероховатость	Ra < 5A @ 5x5 мкм

Подложки InAs

1 ₽

Под заказ

Подложки InAs

Технические характеристики

Подложки Ge

Подложки InP

Подложки SiC

Подложки GaN