Комплексные решения в области фотоники и оптоэлектроники
+7 (812) 565-60-60
Работаем по России и странам
Таможенного Союза
Таможенного Союза
Пн - Пт 9:00 - 18:00 (Мск)
Новости
Выставка Фотоника 2023: мир лазеров и оптики
06.03.2023
Система тестирования источников излучения
31.03.2022
Подложки InSb
- Диаметр до 4 дюймов
- Толщина 0.5 - 0.8 мм
- Одна/двухсторонняя полировка
- Ориентация <100>, <111>
1 ₽
Количество
шт
InSb еще один важный материал для ИК оптоэлектроники с экстремально малой шириной запрещенной зоны (порядка 0.15 эВ). Узкощелевой InSb может использоваться в качестве основного материала для производства фотоприемных устройств среднего ИК диапазона, например для создания охлаждаемых матричных датчиков изображения диапазона 3 - 5 мкм. В некоторых случаях кристалл InSb применятся в качестве источника терагерцового излучения (эффект Дембера).
Технические характеристики
| Метод роста | LEC | |
| Диаметр | 2, 3, 4" | |
| Толщина | 0.5, 0.6, 0.8 мм | |
| Кристаллографическая ориентация | <100>, <111> | |
| Допустимая разориентация | +/- 0.5 град | |
| Легирование | Нелегированная, n- типа (легированная Te), p-типа (легированная Ge) | |
| Концентрация примеси | (0.1 - 2)x1018 см-3 | |
| Полировка | Односторонняя или двухсторонняя | |
| Плотность поверхностных дефектов (EPD) | <500/cm2, другие по запросу | |
| Шероховатость | Ra < 5A @ 5x5 мкм | |