Компактный быстродействующий ​​InGaAs-фотодиод

  • Длины волн 1000-1650 нм
  • Полоса пропускания до 20 ГГц
  • Оптическая мощность до +10 дБм
  • Темновой ток ≤ 10 нА
  • Амплитудная неравномерность ≤ ± 2 дБ
Спецификация

Описание

Быстродействующий фотодетектор SSPD предназначен как для цифровых, так и для аналоговых приложений. Модуль состоит из широкополосного InGaAs PIN-фотодиода с диапазоном спектральной фоточувствительности от 1000 до 1650 нм и необходимой согласующей электронной схемы.

SSDD от NEON может обеспечить полосу пропускания до 20 ГГц. Модуль работает при смещении +5 В и совместим со стандартным одномодовым оптоволокном 9/125 мкм. Выходной РЧ-канал представляет собой разъем,  SMP с сопротивлением 50 Ом.

SSDD имеет компактный герметичный корпус и весит менее 8 грамм.

Технические характеристики

Эксплуатационные характеристики
Параметр Типовое значение Максимальный диапазон Ед. изм
Температура хранения -45 ~ +85 -55 ~ +100
Рабочая температура 25 -40 ~ +85
Напряжение смещения +5 +5 ~ + 9 В
Оптическая входная мощность +3 + 10 дБм
Предельная оптическая мощность +13 дБм

 

Электрические/оптические характеристики ( T C = 22 ± 3 ℃ )
Параметр Условия испытаний Значение параметра Ед. изм
Диапазон длин волн 1000 ~ 1650 нм
Диапазон частот Кu +  полоса
Полоса пропускания Т С = 22 ± 3 ℃ 0,3 ~20 ГГц
Фоточувствительность VR = +5 В, Pin = 1 мВт λ = 1310 нм ≥ 0,9 А/Вт
λ = 1550 нм ≥ 0,85
Амплитудная неравномерность Т С = -40 ~+85 ℃ ≤ ± 2 дБ
Оптическая мощность насыщения VR = 5 В, λ = 1550 нм, модулированный переменным током +7 дБм
Выходная ВЧ-мощность насыщения -10 дБм
Коэффициент стоячей волны ≤ 2,2
Темновой ток VR =+5 В ≤ 10 нА
Выходное сопротивление 50 Ом

Типовые амплитудно-частотные характеристики

 типичные кривые отклика фотоприемника

Габариты и контакты (единица измерения: мм [дюйм]) 

размеры фотодетекторов и штифты

О производителе