Компактный быстродействующий InGaAs-фотодиод
- Длины волн 1000-1650 нм
- Полоса пропускания до 20 ГГц
- Оптическая мощность до +10 дБм
- Темновой ток ≤ 10 нА
- Амплитудная неравномерность ≤ ± 2 дБ
Описание
Быстродействующий фотодетектор SSPD предназначен как для цифровых, так и для аналоговых приложений. Модуль состоит из широкополосного InGaAs PIN-фотодиода с диапазоном спектральной фоточувствительности от 1000 до 1650 нм и необходимой согласующей электронной схемы.
SSDD от NEON может обеспечить полосу пропускания до 20 ГГц. Модуль работает при смещении +5 В и совместим со стандартным одномодовым оптоволокном 9/125 мкм. Выходной РЧ-канал представляет собой разъем, SMP с сопротивлением 50 Ом.
SSDD имеет компактный герметичный корпус и весит менее 8 грамм.
Технические характеристики
Эксплуатационные характеристики | |||
Параметр | Типовое значение | Максимальный диапазон | Ед. изм |
Температура хранения | -45 ~ +85 | -55 ~ +100 | ℃ |
Рабочая температура | 25 | -40 ~ +85 | ℃ |
Напряжение смещения | +5 | +5 ~ + 9 | В |
Оптическая входная мощность | +3 | + 10 | дБм |
Предельная оптическая мощность | – | +13 | дБм |
Электрические/оптические характеристики ( T C = 22 ± 3 ℃ ) | ||||
Параметр | Условия испытаний | Значение параметра | Ед. изм | |
Диапазон длин волн | - | 1000 ~ 1650 | нм | |
Диапазон частот | - | Кu + полоса | - | |
Полоса пропускания | Т С = 22 ± 3 ℃ | 0,3 ~20 | ГГц | |
Фоточувствительность | VR = +5 В, Pin = 1 мВт | λ = 1310 нм | ≥ 0,9 | А/Вт |
λ = 1550 нм | ≥ 0,85 | |||
Амплитудная неравномерность | Т С = -40 ~+85 ℃ | ≤ ± 2 | дБ | |
Оптическая мощность насыщения | VR = 5 В, λ = 1550 нм, модулированный переменным током | +7 | дБм | |
Выходная ВЧ-мощность насыщения | - | -10 | дБм | |
Коэффициент стоячей волны | - | ≤ 2,2 | - | |
Темновой ток | VR =+5 В | ≤ 10 | нА | |
Выходное сопротивление | - | 50 | Ом |