Быстродействующий InGaAs фотодиод HSPD

  • Длины волн 1000-1650 нм
  • Полоса пропускания до 30 ГГц
  • Оптическая мощность до + 7 дБм
  • Темновой ток < 10 нА
  • Амплитудная неравномерность ≤±2 дБ
Категория:
Спецификация

Описание

Высокоскоростной оптический фотодетектор HSPD предназначен как для цифровых, так и для аналоговых приложений. Модуль содержит InGaAs PIN-фотодиод с диапазоном спектральной фоточувствительности от 1250 до 1650 нм и необходимую согласующую электронику.
Оптический фотодетектор HSPD способен обеспечить полосу пропускания 8 ГГц, 12 ГГц, 18 ГГц, 22 ГГц или 30 ГГц. Модуль работает при смещении +3,3 или +5В (в зависимости от модели HSPD) и совместим со стандартным одномодовым оптоволоконном 9/125 мкм. Выходной РЧ канал представляет собой разъем SMA, или разъем 2,92 мм, соответствующий импедансу 50 Ом. 
HSPD имеет герметичный корпус и весит менее 15 грамм. 

Технические характеристики

Эксплуатационные характеристики
Параметр Типовое значение Максимальный диапазон Ед. изм
Температура хранения -45 ～ +85 -55 ～ +100 ℃
Рабочая Температура 25 -40 ～ +85 ℃
Напряжение смещения +3.3 +2.8 ～ +5 В
Оптическая входная мощность 0 +7 дБм
Предельная оптическая мощность   – +10 дБм

 

Электрические/оптические характеристики (T C = 22 ± 3 ℃)
Параметр Условия испытаний Значение параметра Ед. изм
Длина волны  － 1000～1650 нм
Частота － C-диапазон X-диапазон Ku-диапазон Ку + -диапазон К + -диапазон －
Полоса пропускания  Т С = 22 ± 3 ℃ 0.1～8 0.3～12 0.8～18 2～22 2～30 ГГц
Фоточувствительность V R , Pin =1 мВт λ = 1310 нм ≥ 0.85 ≥ 0.85 ≥ 0.9 ≥ 0.85 ≥ 0.85 А/Вт
λ = 1550 нм ≥ 0.9 ≥ 0.9 ≥ 0.85 ≥ 0.80 ≥ 0.80
Амплитудная неравномерность Т С =-40 ～+85 ℃ ≤±1.5 ≤±1.5 ≤ ±1.5 ≤±2 ≤±2 дБ
Коэффициент стоячей волны － ≤ 2 ≤ 2 ≤ 2.2 ≤ 2.5 ≤ 2.5 －
Напряжение смещения － +3.3 +3.3 +3.3 +3.3 +5 В
РЧ-разъем － SМА SМА SМА 2,92 мм 2,92 мм －
Оптическая мощность насыщения V R , λ = 1550 нм, Модулированный переменным током +7 +7 +7 +7 +7 дБм
Темновой ток VR ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10 ≤ 10 нА
Выходная ВЧ-мощность насыщения － -10 дБм
Выходное сопротивление － 50 Ом

Типовые амплитудно-частотные характеристики

(V R ,   λ=1550 нм, TC =25 ºC, Pin=0 дБм)

1 1
Рис. 1 Частотная характеристика фотодетектора C-диапазона
2 1
Рис. 2 Частотная характеристика фотодетектора X-диапазона
3
Рис. 3 Частотная характеристика фотодетектора Ku-диапазона
4
Рис. 4 K+ – частотная характеристика  фотодетектора K+ диапазона

Габариты и контакты (единица измерения: мм [дюйм]) 

1202062923120463874

РЧ-разъем: SMA или 2,92 мм

О производителе

Похожие товары

ООО «Интех Лайтинг» поставщик лазерных и светодиодных источников излучения, фотоэлектрических преобразователей и оптических модуляторов, контрольно-измерительного и технологического оборудования, комплектующих и материалов для высокотехнологичных областей науки и промышленности. Мы оказываем услуги научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ (НИОКР) в области оптоэлектроники и оптической метрологии.
196105, Россия, г. Санкт-Петербург, ул. Свеаборгская д.12, 54H
+7 (812) 565-60-60