Высокомощный InGaAs фотодиод HPPD-Ku

  • Длины волн 1000-1650 нм
  • Полоса пропускания до 18 ГГц
  • Оптическая мощность до +17 дБм
  • Амплитудная неравномерность ≤ ±1,5
  • Темновой ток ≤ 10 нА
Спецификация

Описание

Быстродействующий фотодетектор HPPD-Ku предназначен как для цифровых, так и для аналоговых приложений с высокой мощностью оптического сигнала. Модуль состоит из InGaAs PIN-фотодиода с диапазоном спектральной фоточувствительности от 1000 до 1650 нм и необходимой согласующей электроники.

HPPD-Ku может обеспечить полосу пропускания до 18 ГГц. Модуль работает при смещении +5В и совместим со стандартным одномодовым оптоволокном  9/125 мкм. Выходной РЧ-канал представляет собой разъем SMA с сопротивлением 50 Ом. HPPD-Ku имеет герметичный корпус и весит менее 15 грамм.

Технические характеристики

Эксплуатационные характеристики
Параметр Типовое значение Максимальный диапазон Ед. изм
Температура хранения -45 ~ +85 -55 ~ +100
Рабочая Температура 25 -40 ~ +85
Напряжение смещения + 5 +5 ~+9 В
Оптическая входная мощность +10 + 17 дБм
Предельная оптическая мощность   +20 дБм

 

Электрические/оптические характеристики (TC = 22 ± 3 ℃)
Параметр Условия испытаний Значение параметра Ед. изм
Диапазон длин волн 1000 ~1650 нм
Диапазон частот Ku-диапазон
Полоса пропускания Тс = 22 ± 3 ℃ 0,8 ~18 ГГц
Фоточувствительность VR, Pin = 1 мВт λ = 1310 нм ≥ 0,85 А/Вт
λ = 1550 нм ≥ 0,8
Амплитудная неравномерность Тc =-40 ~+85 ℃ ≤ ±1,5 дБ
Коэффициент стоячей волны ≤ 2,2
Напряжение смещения +5 В
РЧ-разъем SМА
Оптическая мощность насыщения VR , λ = 1550 нм,  Модулированный переменным током +17 дБм
Темновой ток VR ≤ 10 нА
Выходная ВЧ-мощность насыщения -10 дБм
Выходное сопротивление 50 Ом

Типовые амплитудно-частотные характеристики

( VR=+5В, λ=1550нм, Tс=25°C, Pin=0 дБм)

1202771347584704514 1

Габариты и контакты (единица измерения: мм [дюйм]) 

1202768283275841537

О производителе