InGaAs лавинные фотодиоды с большой активной областью

Описание

Компания Интех Лайтинг предлагает серию высококачественных лавинных фотодиодов на основе объемных материалов InP/InGaAs c диаметром фоточувствительного элемента 200 мкм и диапазоном спектральной чувствительности 900 ~ 1700 нм. 

В ответ на растущий спрос на датчики низкой освещенности (например, LIDAR) компания предлагает лавинные фотодиоды InGaAs с термоэлектрическим охлаждением на основе компактного корпуса TO-46. При минимальном потреблении энергии на охлаждение (<0,3 Вт) для работы при низких температурах или при контролируемой температуре эти фотодиоды демонстрируют лучшую чувствительность и стабильность, чем обычные неохлаждаемые APD.

Лавинные фотодиоды доступны в виде немонтированных чипов, чипов на керамическом носителе (CLCC) или в металлических TO-корпусах с охлаждением и без.