Каталог
Si лавинные фотодиоды
- Диапазон 400 — 1100 нм
- Активная область 230, 500 мкм
- Напряжение пробоя 100 — 220 В
- Время нарастания < 1.5 нс
- Темновой ток < 1 нА
Описание
- Диапазон 400 — 1100 нм
- Активная область 230, 500 мкм
- Напряжение пробоя 100 — 220 В
- Время нарастания < 1.5 нс
- Темновой ток < 1 нА
Описание
Технические характеристики
| Параметр | Условия измерения | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Ед. измерения |
| Тип корпуса | Немонтированные чипы, LCC или TO | ||||
| Спектральный диапазон | 400-1100 | нм | |||
| Диаметр активной области | 230/500 | мкм | |||
| Фоточувствительность | λ=905 нм, M=100 | 50 | 55 | А/Вт | |
| Время нарастания | f=1МГц,R=50Ом, λ=905 нм | 0,5 | 1.5 | нс | |
| Темновой ток | M=100 | 0.2 | 0.4 | 1 | нА |
| Емкость | M=100, f=1МГц | 1 | пФ | ||
| Коэффициент усиления | 100 | ||||
| Напряжение пробоя | IR=10 мкА | 100 | 220 | В | |
| Коэффициент температурного дрейфа | Tc=-40℃～85℃ | 0.7 | В/℃ | ||
О производителе
Похожие товары
-
InGaAs лавинные фотодиоды с большой активной областью
Добавить в корзину- Длины волн 0,9–1,7 мкм
- Тип к орпyса Chip/CLCC/TO-Can
- Диаметр фотоэлемента 200 мкм
