Подложки GaAs

  • Диаметр до 6 дюймов
  • Толщина 0.35 — 0.65 мм
  • Одна/двухсторонняя полировка
  • Ориентация <100>,<110>, <111>
Категория:

Описание

Арсенид галлия (GaAs), пожалуй, наиболее востребованный материал для создания устройств оптоэлектроники и СВЧ-техники благодаря высокой подвижностью электронов. Подложки GaAs применяется при создании эпитаксиальных гетероструктур для светодиодов, лазерных диодов, фотоэлектрических преобразователей, транзисторов с высокой подвижностью электронов и биполярных транзисторов.

Технические характеристики

Метод роста VGF, VB
Диаметр 2, 3, 4, 6″
Толщина 0.35, 0.65 мм
Кристаллографическая ориентация <100>,<110>, <111>, доступны варианты с разориентацией 6-10 град
Допустимая разориентация +/- 0.5 град
Легирование Нелегированная, n- типа (легированная Si), p-типа (легированная Zn)
Концентрация примеси (0.5 — 2)x1018 см-3
Полировка Односторонняя или двухсторонняя
Плотность поверхностных дефектов (EPD) <5000/cm2, другие по запросу
Шероховатость Ra < 5A @ 5×5 мкм

О производителе

Похожие товары

ООО «Интех Лайтинг» поставщик лазерных и светодиодных источников излучения, фотоэлектрических преобразователей и оптических модуляторов, контрольно-измерительного и технологического оборудования, комплектующих и материалов для высокотехнологичных областей науки и промышленности. Мы оказываем услуги научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ (НИОКР) в области оптоэлектроники и оптической метрологии.
196105, Россия, г. Санкт-Петербург, ул. Свеаборгская д.12, 54H
+7 (812) 565-60-60